Det globale solcellemarkedet domineres av krystallinske silisiumceller. Å forbedre effektiviteten og redusere kostnadene for krystallinsk silisiumbatteri er nøkkelen til utviklingen av fotovoltaisk industri. Fra de første masseproduserte bakfeltcellene i aluminium, til PERC (emitterpassivering og tilbakekontakt), til HJT (heterojunction of the intrinsic amorphous layer) celler og TOPCon (tunnel oxide passivation contact cells), og til fremtidige laminerte celler, effektiviteten til fotovoltaiske celler nærmer seg grensen, noe som fører til et gjennombrudd i kostnader og skala.
Selv om teknologien til fotovoltaiske celler har blitt iterert og effektiviteten har blitt forbedret, har det grunnleggende prinsippet og kjerneprosessen til krystallinske silisiumceller ikke endret seg, det vil si rengjøring av kashmir, diffusjonsknute, passiveringsbelegg, metallisering fire trinn.
1) rengjøring flocking rensing brukes hovedsakelig til å fjerne urenheter og skadelag på overflaten av silisiumwafer, flocking brukes til å danne en pyramidestruktur på overflaten av silisiumwafer for å redusere reflektiviteten.
2) PN-krysset er kjernestrukturen til fotovoltaiske celler. Det er vanligvis egnet for homogene koblingsbatterier.
3) passiveringsfilmen dannes på overflaten av cellen ved vakuumplettering, som spiller en nøkkelrolle for å forbedre effektiviteten til cellen og er hovedutgangspunktet for å forbedre effektiviteten til cellen.
4) Metallisering brukes til å danne front- og bakelektrodene til en fotovoltaisk celle, vanligvis ved silketrykk. Metalliseringsprosessen er nært knyttet til passiveringsprosessen, og spiller en nøkkelrolle for å redusere minoritetsrekombinasjon og motstandstap. I tillegg inkluderer også etsing, deteksjon og andre generelle trinn, i ulike batteriteknologi linje av liten forskjell.